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Microchip Technology는 최근 SiC(실리콘 카바이드) 기술을 기반으로 400~800V 배터리 시스템용 6가지 변형과 최대 30A 정격 전류를 제공하는 E-Fuse 데모 보드를 발표했습니다.

E-Fuse 시연자는 고전압 솔리드 스테이트 설계 덕분에 기존 기계적 접근 방식보다 100~500배 빠른 속도로 마이크로초 내에 오류 전류를 감지하고 차단할 수 있습니다. 빠른 응답 시간은 피크 단락 전류를 수십 킬로암페어에서 수백 암페어로 크게 줄여 오류 이벤트로 인해 심각한 오류가 발생하는 것을 방지할 수 있습니다.

마이크로칩의 실리콘 카바이드 사업부 부사장인 Clayton Pillion은 “E-Fuse 시연자는 BEV/HEV OEM 설계자에게 SiC 기반 기술 솔루션을 제공하여 전력 전자 장치를 보호하기 위한 더 빠르고 안정적인 방법으로 개발 프로세스를 시작할 수 있게 해줍니다.”라고 말했습니다. "E-Fuse 솔리드 스테이트 설계는 기계적 충격, 아크 또는 접촉 바운스로 인한 성능 저하가 없기 때문에 전기 기계 장치에 대한 장기적인 신뢰성 문제도 완화합니다."

E-Fuse 시연자의 재설정 가능 기능을 통해 설계자는 서비스 가능성에 대한 설계 제약 없이 차량에 E-Fuse를 쉽게 패키징할 수 있습니다. 이는 설계 복잡성을 줄이고 유연한 차량 패키징을 가능하게 하여 BEV/HEV 전력 시스템 분배를 개선합니다.

OEM은 내장된 LIN(Local Interconnect Network) 통신 인터페이스 덕분에 E-Fuse 데모를 통해 SiC 기반 보조 애플리케이션 개발을 가속화할 수 있습니다. LIN 인터페이스를 사용하면 하드웨어 구성 요소를 수정할 필요 없이 과전류 트립 특성을 구성할 수 있으며 진단 상태도 보고됩니다.

E-Fuse 데모는 LIN 기반 인터페이스를 통해 Microchip의 SiC MOSFET 기술과 PIC® 마이크로 컨트롤러의 CIP(코어 독립 주변 장치)의 탁월한 견고성과 성능을 활용합니다. 동반 구성 요소는 자동차 인증을 받았으며 개별 설계에 비해 부품 수가 적고 신뢰성이 높습니다.

Microchip의 SiC 전력 솔루션은 베어 다이, 이산 소자, 모듈 및 맞춤형 전력 모듈로 업계에서 가장 광범위하고 유연한 MOSFET, 다이오드 및 게이트 드라이버 포트폴리오를 제공합니다.